系列:
零件状态:
工作温度:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
2SJ668(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CHANNEL...
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1 580 提交询价
2SK2266(TE24R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 45A...
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1 580 提交询价
2SK2231(TE16R1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 5A ...
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1 580 提交询价
2SJ377(TE16R1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 5A ...
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1 580 提交询价
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