- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 16A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 16A... |
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1 | 1,122 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 16A... |
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1 | 4,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 7A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.4A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13.6... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13.6... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13.6... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.3A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.3A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.3A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 5.1... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 5.1... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 5.1... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 3.7... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 3.7... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 3.7... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 14A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 14A... |
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1 | 580 | 提交询价 |
