晶体管 - FET，MOSFET - 单

零件状态：

功率耗散（最大值）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	DMN2075U-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 4.2A...		-	1	580	提交询价
	DMN2056U-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHANNEL...		-	1	7,439	提交询价

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