FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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SI2371EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.8A...
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MOSFET P-CH 30V 4.8A...
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SI2371EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.8A...
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SI2338DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A ...
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SI2338DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SI2323DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5.3A...
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SI2323DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5.3A...
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SI2323DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5.3A...
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SI2342DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 6A S...
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SI2342DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SI2342DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 6A S...
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