- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Nexperia USA Inc. | PSMN8R9-100BSE/SOT4... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 30A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V D2... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 54A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 54A... |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 16A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 16A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 16A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V D2... |
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1 | 580 | 提交询价 |
