功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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STB24N65M2 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 16A...
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