- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
|
1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
-
|
1 | 10,830 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
|
1 | 10,830 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
|
1,000 | 10,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
-
|
1 | 4,813 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
|
1 | 4,813 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660... |
|
1,000 | 4,000 | 加入购物车 提交询价 |
