- 品牌：
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- IXYS (2)
- NXP USA Inc. (3)
- ON Semiconductor (2)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET NCH 600V 3A ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V QF... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V QF... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V QF... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 500V 4A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 600V 4A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 20A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 700V 4.6... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 651V... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 600V 2.8... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 800V 7A... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 501V... |
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75 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 600V 2.5... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 18A... |
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1 | 995 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A... |
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1 | 2,305 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A... |
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1 | 2,305 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET TO263-3 |
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1 | 2,795 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET TO263-3 |
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1 | 2,795 | 加入购物车 提交询价 |
