安装类型:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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IPD60R385CPBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A...
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IPD60R385CPBTMA1 Infineon Technologies
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SPI07N65C3HKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3...
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IPI60R385CPXKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A...
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SPD07N60C3BTMA1 Infineon Technologies
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SPD07N60C3BTMA1 Infineon Technologies
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IPD65R380E6ATMA1 Infineon Technologies
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FCP360N65S3R0 ON Semiconductor
SUPERFET3 650V TO22...
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SPU07N60C3BKMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3...
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SPP07N60C3XKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3...
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SPB07N60C3ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3...
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SPB07N60C3ATMA1 Infineon Technologies
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SPB07N60C3ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3...
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FCD360N65S3R0 ON Semiconductor
SUPERFET3 650V DPA...
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FCD360N65S3R0 ON Semiconductor
SUPERFET3 650V DPA...
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FCD360N65S3R0 ON Semiconductor
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¥4.99
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IPD65R380C6BTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10....
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