- 封装/外壳:
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- 功率耗散(最大值):
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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7 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6.6... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
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1 | 987 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
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1 | 450 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
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1 | 31 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
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1 | 1,000 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
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1 | 1,000 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
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