- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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7 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 8A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 8.5... |
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1 | 403 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
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1 | 156 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 9A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5A... |
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1 | 720 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
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1 | 2,470 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 650 V, 0.12... |
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1 | 753 | 提交询价 |
