- 系列：
-
- 供应商器件封装：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
- FET 类型：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
243 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 58A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 40A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 43A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 56A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 86A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
IXYS-RF | MOSFET N-CH 1000V 24... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
IXYS | MOSFET N-CH 500V 52A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 100V 180... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 500V 38A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 19... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 17... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
IXYS | MOSFET N-CH 900V 43A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 38A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 58A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
IXYS | MOSFET N-CH 550V 48A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
IXYS | MOSFET N-CH 100V 176... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
IXYS | MOSFET N-CH 100V 350... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
IXYS | MOSFET N-CH 100V 280... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
IXYS | MOSFET N-CH 500V 66A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
IXYS | MOSFET N-CH 800V 44A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 |
