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晶体管 - FET，MOSFET - 单
功率耗散（最大值）：
1170W (Tc)
(1)
1200W（Tc）
(1)
830W（Tc）
(1)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
110A（Tc）
(1)
65A（Tc）
(1)
90A（Tc）
(1)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
33 毫欧 @ 55A，10V
(1)
41 毫欧 @ 500mA， 10V
(1)
65 毫欧 @ 33A，10V
(1)
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
230nC @ 10V
(1)
340nC @ 10V
(1)
425nC @ 10V
(1)
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
13300pF @ 25V
(1)
17000pF @ 25V
(1)
8900pF @ 25V
(1)
已选条件：
晶体管 - FET，MOSFET - 单
工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 : 底座安装
漏源电压（Vdss） : 850V
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IXFN110N85X
IXYS
MOSFET N-CH 850V 110...
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IXYS
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IXYS
850V/90A ULT JUNC X-...
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IXFN110N85X
IXYS
MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
库存 : 4
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IXFN66N85X
IXYS
850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS
库存 : 20
¥259.44
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IXFN90N85X
IXYS
850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P
库存 : 40
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