FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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SIR165DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 30V ...
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SIR165DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 30V ...
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SIR165DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 30V ...
¥5.49
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SIR182DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A...
-
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SIR182DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A...
¥13.52
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SIR182DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A...
¥6.01
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SIJ494DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 36....
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SIJ494DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 36....
¥12.57
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SIJ494DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 36....
¥5.80
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SIJ438DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 80A...
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SIJ438DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 80A...
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SIJ438DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
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