供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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SIR872DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 53....
-
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SIR872DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 53....
¥23.33
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SIR872DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 53....
¥10.35
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SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 100V...
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SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 100V...
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SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 100V...
¥6.44
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SIR182DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A...
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SIR182DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A...
¥13.52
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SIR182DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A...
¥6.01
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