- 封装/外壳：
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- 功率耗散（最大值）：
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- FET 类型：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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255 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 75A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 75A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 28A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 32A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 90A... |
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1 | 51 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 120A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 120A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A... |
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1 | 11 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | BUK6Y32-60P/SOT669/LF... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | BUK6Y15-40P/SOT669/LF... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | BUK6Y12-30P/SOT669/LF... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 120A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 120A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 120A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 120A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A... |
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1 | 580 | 提交询价 |
