晶体管 - FET，MOSFET - 单

封装/外壳：

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

漏源电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

Vgs（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	BUK969R0-60E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 75A...		-	1	4,296	提交询价
	BUK7M8R0-40EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V ML...		-	1	1,514	提交询价

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