晶体管 - FET，MOSFET - 单

封装/外壳：

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

漏源电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

Vgs（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	BUK9219-55A,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 55A...		-	1	14,025	提交询价
	BUK768R3-60E,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 75A...		-	1	4,800	提交询价

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