- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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13 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A... |
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4,800 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | PSMN1R6-30MLH/SOT12... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | PSMN1R6-30MLH/SOT12... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | PSMN1R6-30MLH/SOT12... |
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1,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 120A... |
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1 | 4,930 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 120A... |
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1 | 4,078 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 120A... |
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1 | 4,078 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 120A... |
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800 | 4,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A... |
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1 | 3,754 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A... |
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1 | 3,754 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A... |
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800 | 3,200 | 加入购物车 提交询价 |
