供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IPD30N03S2L07ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A...
-
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SPD30N03S2L07T Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A...
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SPB80N03S2L06T Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A...
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IPD068N10N3GBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A...
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SPD30N03S2L07GBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A...
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SPB80N03S2L-06 G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A...
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SPD50N03S2L-06 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A...
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SPD30N03S2L-07 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A...
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SPB80N03S2L-06 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A...
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SPD50N03S2L06GBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A...
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SPD50N03S2L06T Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A...
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