零件状态:
供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IPD33CN10NGBUMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A...
-
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IPD09N03LB G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A...
-
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IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A...
¥3.50
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IPD75N04S406ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A...
¥3.07
2,500 580 加入购物车 提交询价
IPD50P04P413ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 50A...
¥3.23
2,500 12,500 加入购物车 提交询价
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