- 品牌：
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- IXYS (19)
- ON Semiconductor (13)
- STMicroelectronics (11)
- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- 测试条件：
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- 反向恢复时间（trr）：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
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- 脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
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- 开关能量：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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64 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 200W TO... |
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ON Semiconductor | IGBT 1000V 60A 176W TO... |
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ON Semiconductor | IGBT 900V 60A 180W TO... |
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ON Semiconductor | IGBT 900V 60A 180W TO... |
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ON Semiconductor | IGBT 600V 60A 167W TO... |
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ON Semiconductor | IGBT 600V 60A 250W TO... |
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STMicroelectronics | IGBT 1200V 60A 220W TO... |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 200W TO... |
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Infineon Technologies | IGBT 1000V 60A 412W TO... |
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STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 260W TO... |
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Renesas Electronics America | IGBT TRENCH 650V 60... |
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IXYS | IGBT 2500V 60A 250W PL... |
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IXYS | IGBT 1400V 60A 300W PL... |
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IXYS | IGBT 1400V 60A 300W TO... |
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Infineon Technologies | IGBT 650V TO-247 |
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Infineon Technologies | IGBT 650V TO-247 |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 60A 305W TO... |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 60A 305W TO... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | IGBT 1000V 60A 170W TO... |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 60A 321W TO... |
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