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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
系列：
-
(2)
GenX3™，XPT™
(1)
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
(1)
-55°C ~ 150°C（TJ）
(1)
-55°C ~ 175°C（TJ）
(1)
封装/外壳：
TO-220-3
(2)
TO-3P-3 整包
(1)
供应商器件封装：
TO-220AB
(2)
TO-247AD
(1)
电压 - 集射极击穿（最大值）：
1200V
(2)
650V
(1)
功率 - 最大值：
165W
(1)
200W
(2)
测试条件：
400V，15A，20 欧姆，15V
(1)
600V，15A，56 欧姆，15V
(1)
600V，20A，82 欧姆，15V
(1)
IGBT 类型：
NPT
(1)
PT
(2)
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
2.1V @ 15V，15A
(1)
2.5V @ 15V，15A
(1)
3V @ 15V，20A
(1)
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
-
(1)
50A
(1)
80A
(1)
开关能量：
1.65mJ（开），1.7mJ（关）
(1)
270µJ（开），230µJ（关）
(1)
3.1mJ（开），2.4mJ（关）
(1)
栅极电荷：
19nC
(1)
47nC
(1)
70nC
(1)
25°C 时 Td（开/关）值：
-
(2)
15ns/68ns
(1)
已选条件：
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
包装 : 管件
反向恢复时间（trr） : -
输入类型 : 标准
电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 38A
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IXYS
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IXYS
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IXYS
IGBT 1200V 38A 200W TO247AD
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IXYS
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