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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
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散装
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封装/外壳：
ISOPLUS247™
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供应商器件封装：
ISOPLUS247™
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电压 - 集射极击穿（最大值）：
600V
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900V
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功率 - 最大值：
250W
(2)
400W
(1)
测试条件：
400V，50A，2 欧姆，15V
(1)
480V，50A，2.7 欧姆，15V
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720V，50A，5 欧姆，15V
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IGBT 类型：
-
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PT
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脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
200A
(2)
300A
(1)
开关能量：
4.7mJ（关）
(1)
4.8mJ（关）
(1)
490µJ（关）
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栅极电荷：
135nC
(1)
140nC
(1)
200nC
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25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/95ns
(1)
20ns/350ns
(1)
50ns/200ns
(1)
已选条件：
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
IXYS
安装类型 : 通孔
反向恢复时间（trr） : -
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） : 2.7V @ 15V，50A
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IXGH50N90B2
IXYS
IGBT 900V 75A 400W TO...
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