产品概览

产品型号
RQ1A060ZPTR
现有数量
45,000
制造商
Rohm Semiconductor
产品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单
产品描述
MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

文档与媒体

数据列表
RQ1A060ZPTR

产品详情

FET 功能 :
-
FET 类型 :
P 沟道
Vgs(最大值) :
±10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
1V @ 1mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
23 毫欧 @ 6A,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
2800pF @ 6V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
34nC @ 4.5V
供应商器件封装 :
TSMT8
功率耗散(最大值) :
700mW(Ta)
包装 :
带卷(TR)
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
8-SMD,扁平引线
工作温度 :
150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
6A(Ta)
系列 :
-
零件状态 :
在售
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
1.5V,4.5V

采购与价格

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