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SI4666DY-T1-GE3

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±12V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

1.5V @ 250µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

10 毫欧 @ 10A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

1145pF @ 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

34nC @ 10V

供应商器件封装 :

8-SO

功率耗散（最大值） :

2.5W（Ta），5W（Tc）

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

16.5A（Tc）

系列 :

TrenchFET®

零件状态 :

停產

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

2.5V，10V