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IRFH7921TRPBF

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2.35V @ 25µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

8.5 毫欧 @ 15A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

1210pF @ 15V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

14nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

PQFN（5x6）单芯片焊盘

功率耗散（最大值） :

3.1W（Ta）

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

8-PowerVDFN

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

15A（Ta），34A（Tc）

系列 :

HEXFET®

零件状态 :

最後搶購

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

4.5V，10V