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TSM250N02DCQ RFG

FET 功能 :

标准

FET 类型 :

2 个 N 沟道（双）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

800mV @ 250µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

25 毫欧 @ 4A，4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

775pF @ 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

7.7nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

6-TDFN（2x2）

功率 - 最大值 :

620mW

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

6-VDFN 裸露焊盘

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

漏源电压（Vdss） :

20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

5.8A（Tc）

系列 :

-

零件状态 :

在售