数据列表

MMBD352LT1

不同 If，F 时的电阻 :

-

不同 Vr，F 时的电容 :

1pF @ 0V，1MHz

二极管类型 :

肖特基 - 1 对串联

供应商器件封装 :

SOT-23-3（TO-236）

功率耗散（最大值） :

225mW

包装 :

剪切带（CT）

封装/外壳 :

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

电压 - 峰值反向（最大值） :

7V

电流 - 最大值 :

-

系列 :

-

零件状态 :

停產