数据列表

MBD770DWT1G

不同 If，F 时的电阻 :

-

不同 Vr，F 时的电容 :

1pF @ 20V，1MHz

二极管类型 :

肖特基 - 2 个独立式

供应商器件封装 :

SC-88/SC70-6/SOT-363

功率耗散（最大值） :

380mW

包装 :

带卷（TR）

封装/外壳 :

6-TSSOP，SC-88，SOT-363

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

电压 - 峰值反向（最大值） :

70V

电流 - 最大值 :

100mA

系列 :

-

零件状态 :

在售