产品概览

产品型号
CMZ18(TE12L,Q,M)
现有数量
580
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
产品类别
二极管 - 齐纳 - 单
产品描述
X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V

文档与媒体

数据列表
CMZ18(TE12L,Q,M)

产品详情

不同 If 时的电压 - 正向(Vf :
1.2V @ 200mA
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 :
10µA @ 13V
供应商器件封装 :
M-FLAT(2.4x3.8)
功率 - 最大值 :
2W
包装 :
-
安装类型 :
表面贴装
容差 :
±10%
封装/外壳 :
SOD-128
工作温度 :
-40°C ~ 150°C(TJ)
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) :
18V
系列 :
-
阻抗(最大值)(Zzt) :
30 Ohms
零件状态 :
在售

采购与价格

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