产品概览
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- 数据列表
- IPN60R3K4CEATMA1
产品详情
- FET 功能 :
- 超级结
- FET 类型 :
- N 沟道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 3.5V @ 40µA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 3.4 欧姆 @ 500mA,10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 93pF @ 100V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 4.6nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- PG-SOT223
- 功率耗散(最大值) :
- 5W(Tc)
- 包装 :
- 带卷(TR)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- SOT-223-3
- 工作温度 :
- -40°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 600V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 2.6A(Tc)
- 系列 :
- CoolMOS™
- 零件状态 :
- 在售
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与价格
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