产品概览
- 产品型号
- NTLJF3117PT1G
- 现有数量
- 7,950
- 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管 - FET,MOSFET - 单
- 产品描述
- MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
文档与媒体
- 数据列表
- NTLJF3117PT1G
产品详情
- FET 功能 :
- 肖特基二极管(隔离式)
- FET 类型 :
- P 沟道
- Vgs(最大值) :
- ±8V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 1V @ 250µA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 100 毫欧 @ 2A,4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 531pF @ 10V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 6.2nC @ 4.5V
- 供应商器件封装 :
- 6-WDFN(2x2)
- 功率耗散(最大值) :
- 710mW(Ta)
- 包装 :
- 剪切带(CT)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- 6-WDFN 裸露焊盘
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 20V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 2.3A(Ta)
- 系列 :
- µCool™
- 零件状态 :
- 在售
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 1.8V,4.5V