产品概览
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- 数据列表
- SCT2750NYTB
产品详情
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 沟道
- Vgs(最大值) :
- +22V,-6V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 4V @ 630µA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 975 毫欧 @ 1.7A,18V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 275pF @ 800V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 17nC @ 18V
- 供应商器件封装 :
- TO-268
- 功率耗散(最大值) :
- 57W(Tc)
- 包装 :
- 带卷(TR)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
- 工作温度 :
- 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 1700V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 5.9A(Tc)
- 系列 :
- -
- 零件状态 :
- 在售
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 18V
采购与价格
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