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- 数据列表
- IPD78CN10NGATMA1
产品详情
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 沟道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 4V @ 12µA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 78 毫欧 @ 13A,10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 716pF @ 50V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 11nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- PG-TO252-3
- 功率耗散(最大值) :
- 31W(Tc)
- 包装 :
- 剪切带(CT)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 100V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 13A(Tc)
- 系列 :
- OptiMOS™
- 零件状态 :
- 在售
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V