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SCT10N120

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

+25V，-10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

3.5V @ 250µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

690 毫欧 @ 6A，20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

290pF @ 400V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

22nC @ 20V

供应商器件封装 :

HiP247™

功率耗散（最大值） :

150W（Tc）

包装 :

管件

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-247-3

工作温度 :

-55°C ~ 200°C（TJ）

技术 :

SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss） :

1200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

12A（Tc）

系列 :

-

零件状态 :

在售

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

20V