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SQJ850EP-T1_GE3

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2.5V @ 250µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

23 毫欧 @ 10.3A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

1225pF @ 30V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

30nC @ 10V

供应商器件封装 :

PowerPAK® SO-8

功率耗散（最大值） :

45W（Tc）

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

PowerPAK® SO-8

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

24A（Tc）

系列 :

汽车级，AEC-Q101，TrenchFET®

零件状态 :

在售

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

4.5V，10V