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ES6U1T2R

FET 功能 :

肖特基二极管（隔离式）

FET 类型 :

P 沟道

Vgs（最大值） :

±10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

1V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

260 毫欧 @ 1.3A，4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

290pF @ 6V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

2.4nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

6-WEMT

功率耗散（最大值） :

700mW（Ta）

包装 :

Reel®

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SOT-563，SOT-666

工作温度 :

150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

1.3A（Ta）

系列 :

-

零件状态 :

不適用於新設計

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

1.5V，4.5V