数据列表

NVC6S5A354PLZT1G

FET 功能 :

-

FET 类型 :

P 沟道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2.6V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

100 毫欧 @ 2A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

600pF @ 20V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

14nC @ 10V

供应商器件封装 :

6-CPH

功率耗散（最大值） :

1.9W（Ta）

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

4A（Ta）

系列 :

-

零件状态 :

在售

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

4V，10V