- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 沟道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 2.4V @ 250µA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 1.95 毫欧 @ 100A,10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 15330pF @ 25V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 255nC @ 4.5V
- 供应商器件封装 :
- D2PAK
- 功率耗散(最大值) :
- 375W(Tc)
- 包装 :
- 带卷(TR)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 60V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 195A(Tc)
- 系列 :
- HEXFET®,StrongIRFET™
- 零件状态 :
- 在售
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4.5V,10V
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