- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 沟道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 3.4V @ 250µA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 8 毫欧 @ 15A,10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 3610pF @ 50V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 64nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- PowerPAK® SO-8
- 功率耗散(最大值) :
- 3.2W(Ta),83.3W(Tc)
- 包装 :
- 带卷(TR)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- PowerPAK® SO-8
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 100V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 16.1A(Ta),65.8A(Tc)
- 系列 :
- TrenchFET® Gen IV
- 零件状态 :
- 在售
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 7.5V,10V
客服热线
7*24小时客服服务热线
13510411597