数据列表

RS1L120GNTB

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

2.7V @ 200µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

12.7mOhm @ 12A, 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

1330pF @ 30V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

26nC @ 10V

供应商器件封装 :

8-HSOP

功率耗散（最大值） :

3W（Ta）

包装 :

剪切带（CT）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

8-PowerTDFN

工作温度 :

150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

12A (Ta), 36A (Tc)

系列 :

-

零件状态 :

在售

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

4.5V，10V