产品概览

产品型号
IPD65R225C7ATMA1
现有数量
580
制造商
Infineon Technologies
产品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单
产品描述
MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3

文档与媒体

数据列表
IPD65R225C7ATMA1

产品详情

FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 沟道
Vgs(最大值) :
±20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
4V @ 240µA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
225 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
996pF @ 400V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
20nC @ 10V
供应商器件封装 :
PG-TO252-3
功率耗散(最大值) :
63W(Tc)
包装 :
带卷(TR)
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
11A(Tc)
系列 :
CoolMOS™ C7
零件状态 :
在售
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
10V