产品概览

产品型号
BSZ110N08NS5ATMA1
现有数量
3,482
制造商
Infineon Technologies
产品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单
产品描述
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON

文档与媒体

数据列表
BSZ110N08NS5ATMA1

产品详情

FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 沟道
Vgs(最大值) :
±20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
3.8V @ 22µA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
11 毫欧 @ 20A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
1300pF @ 40V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
18.5nC @ 10V
供应商器件封装 :
PG-TSDSON-8-FL
功率耗散(最大值) :
50W(Tc)
包装 :
Reel®
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
8-PowerTDFN
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
40A(Tc)
系列 :
OptiMOS™
零件状态 :
在售
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
6V,10V