产品概览

产品型号
FCPF190N60E
现有数量
1,000
制造商
ON Semiconductor
产品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单
产品描述
MOSFET N-CH 600V TO-220-3

文档与媒体

数据列表
FCPF190N60E

产品详情

FET 功能 :
-
FET 类型 :
N 沟道
Vgs(最大值) :
±20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
3.5V @ 250µA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
190 毫欧 @ 10A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
3175pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
82nC @ 10V
供应商器件封装 :
TO-220F
功率耗散(最大值) :
39W(Tc)
包装 :
管件
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
TO-220-3 整包
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
20.6A(Tc)
系列 :
SuperFET® II
零件状态 :
在售
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
10V

采购与价格

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