产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- STL7N60M2
产品详情
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 沟道
- Vgs(最大值) :
- ±25V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
- 4V @ 250µA
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
- 1.05 欧姆 @ 2A,10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
- 271pF @ 100V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 8.8nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- PowerFLAT™(5x5)
- 功率耗散(最大值) :
- 4W(Ta), 67W(Tc)
- 包装 :
- 剪切带(CT)
- 安装类型 :
- 表面贴装
- 封装/外壳 :
- 8-PowerVDFN
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 600V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
- 5A(Tc)
- 系列 :
- MDmesh™
- 零件状态 :
- 在售
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与价格
您可能在找
- STL70N10F3
- STL70N10F3
- STL70N10F3
- STL70N4LLF5 ¥7.73
- STL70N4LLF5 ¥17.40
推荐产品
- STL70N10F3
- STL70N10F3
- STL70N10F3
- STL70N4LLF5 ¥7.73
- STL70N4LLF5 ¥17.40