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TK31J60W,S1VQ

FET 功能 :

超级结

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±30V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

3.7V @ 1.5mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

88 毫欧 @ 15.4A，10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

3000pF @ 300V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

86nC @ 10V

供应商器件封装 :

TO-3P（N）

功率耗散（最大值） :

230W（Tc）

包装 :

管件

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-3P-3，SC-65-3

工作温度 :

150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

30.8A（Ta）

系列 :

DTMOSIV

零件状态 :

在售

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

10V