数据列表

RW1C015UNT2R

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

1V @ 1mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

180 毫欧 @ 1.5A，4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

110pF @ 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

1.8nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

6-WEMT

功率耗散（最大值） :

400mW（Ta）

包装 :

带卷（TR）

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

SOT-563，SOT-666

工作温度 :

150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

1.5A（Ta）

系列 :

-

零件状态 :

不適用於新設計

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

1.5V，4.5V