产品概览

产品型号
SIB433EDK-T1-GE3
现有数量
580
制造商
Vishay Siliconix
产品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单
产品描述
MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6

文档与媒体

数据列表
SIB433EDK-T1-GE3

产品详情

FET 功能 :
-
FET 类型 :
P 沟道
Vgs(最大值) :
±8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
1V @ 250µA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) :
58 毫欧 @ 3.7A,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) :
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) :
21nC @ 8V
供应商器件封装 :
PowerPAK® SC-75-6L 单
功率耗散(最大值) :
2.4W(Ta),13W(Tc)
包装 :
剪切带(CT)
安装类型 :
表面贴装
封装/外壳 :
PowerPAK® SC-75-6L
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术 :
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) :
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) :
9A(Tc)
系列 :
TrenchFET®
零件状态 :
在售
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
1.8V,4.5V