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TPCC8093,L1Q

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 沟道

Vgs（最大值） :

±12V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :

1.2V @ 500µA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） :

5.8 毫欧 @ 10.5A，4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :

1860pF @ 10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :

16nC @ 5V

供应商器件封装 :

8-TSON Advance（3.3x3.3）

功率耗散（最大值） :

1.9W（Ta），30W（Tc）

包装 :

-

安装类型 :

表面贴装

封装/外壳 :

8-PowerVDFN

工作温度 :

150°C

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :

21A（Ta）

系列 :

U-MOSVII

零件状态 :

在售

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

2.5V，4.5V